參數(shù)資料
型號: CSD-843Y
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION
中文描述: 數(shù)值/ ALPHANUMBERIC顯示一般資料
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 613K
代理商: CSD-843Y
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PDF描述
CSQ-343S NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION
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相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CSD85301Q2 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平柵極,5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON(2x2) 標準包裝:1
CSD85301Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平柵極,5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON(2x2) 標準包裝:1
CSD85302L 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFLGA 供應商器件封裝:4-Picostar(1.31x1.31) 標準包裝:1
CSD85302LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFLGA 供應商器件封裝:4-Picostar(1.31x1.31) 標準包裝:1
CSD85312Q3E 制造商:Texas Instruments 功能描述:MOSFET N-CH 20V 8VSON 制造商:Texas Instruments 功能描述:DISCREET - DUAL-DRAIN FET