參數(shù)資料
型號: CSC458D
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 30V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至92
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 158K
代理商: CSC458D
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CSC458
TO-92
Plastic Package
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25oC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
DYNAMIC CHARACTERISTICS
SYMBOL TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
Transition Frequency
f
T
I
C
=2mA, V
CE
=12V
230
MHz
Output Capacitance
C
ob
I
E
=0, V
CB
=10V
f=1MHz
3.5
pF
K
Input Impedance
h
ie
16.5
I
C
=0.1mA, V
CE
=5V
f=270Hz
Output Admittance
h
oe
11
μ
s
Voltage Feedback Ratio
h
re
70
x10
-6
Small Signal Current Gain
Noise Figure
| h
fe
|
NF
130
V
CE
=6V,I
C
=0.1mA
Rg=5001K
, f=1KH
Z
10
d
Β
h
FE
CLASSIFICATION :
B : C: D:
100-200 160-320 250-500
Continental Device India Limited
Data Sheet
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