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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CSC3063 |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 25K |
| 代理商： | CSC3063 |
Continental Device India Limited
Data Sheet
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Total power dissipation up to T
C
= 25°C
Total power dissipation up to T
A
= 25°C
Junction temperature
Storage temperature
P
tot
P
tot
T
j
T
stg
max.
max.
max.
–65 to +150
oC
50 W
1.75 W
150
oC
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25°C unless otherwise specified
Collector cutoff current
I
E
= 0; V
CB
= 400V
Emitter cut-off current
I
C
= 0; V
EB
= 5V
Breakdown voltages
I
C
= 5 mA; I
B
= 0
I
C
= 1 mA; I
E
= 0
I
E
= 1 mA; I
C
= 0
Saturation voltages
I
C
= 4 A; I
B
= 0.8 A
I
CBO
max.
10 μA
I
EBO
max.
10 μA
V
CEO(sus)
*
V
CBO
V
EBO
min.
min.
min.
400 V
500 V
7.0 V
V
CEsat
*
V
BEsat
*
max.
max.
1.0 V
1.5 V
D.C. current gain
I
C
= 0.8A; V
CE
= 5V
I
C
= 4A; V
CE
= 5V
Transition frequency
I
C
= 0.8A; V
CE
= 10V
Output capacitance f = 1 MHz
I
E
= 0; V
CB
= 10V
h
FE
*
h
FE
*
min.
min.
15
8
f
T
typ.
20 MHz
C
o
typ.
80 pF
Switching time
I
C
= 5A; I
B1
= I
B2
= –1A
R
L
= 40
; V
CC
= 200V
Turn on time
Storage time
Fall time
t
on
t
stg
t
f
max.
max.
max
1.0 μs
2.5 μs
1.0 μs
*Pulse test: pulse width
≤
300 μs; duty cycle
≤
2%.
(1) PW
≤
300 μs; duty cycle
≤
10%.
CSC3039
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| CSC3114R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92 |
| CSC3114S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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