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參數(shù)資料
| 型號： | CSB631KF |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 120伏特五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至126 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 26K |
| 代理商： | CSB631KF |
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
CSB631, 631K
CSD600, 600K
Low frequency Power Amplifier and Medium Speed Switching Applications
PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS
NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
631
600
100
100
631K
600K
120 V
120 V
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current
Total power dissipation up to T
C
= 25°C
Junction temperature
Collector-emitter saturation voltage
I
C
= 0.5 A; I
B
= 50 mA
D.C. current gain
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V
V
CBO
V
CEO
I
C
P
C
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
1.0
8.0
150
A
W
°C
V
CEsat
max.
0.4
V
h
FE
min.
max.
60
320
RATINGS
(at T
A
=25°C unless otherwise specified)
Limiting values
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
V
CBO
V
CEO
max.
max.
100
100
120 V
120 V
CSB631, CSB631K
CSD600, CSD600K
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
ALL DIMENSIONS IN MM
PIN CONFIGURATION
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
1
3
2
TO-126 (SOT-32) Plastic Package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CSB631D | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
| CSB631E | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
| CSB631F | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
| CSB631KD | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
| CSB631KE | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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