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參數(shù)資料
| 型號： | CSB507D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 25K |
| 代理商： | CSB507D |
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 2 of 3
Collector current
Collector current (Peak value)
Total power dissipation up to T
C
= 25°C
Junction temperature
Storage temperature
I
C
I
CM
P
tot
T
j
T
stg
max.
max.
max.
max.
–65 to +150
oC
3.0 A
8.0 A
30 W
150
oC
THERMAL CHARACTERISTICS
From junction to case
R
th j–c
=
4.17
°C/W
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25°C unless otherwise specified
Collector cutoff current
I
E
= 0; V
CB
= 20V
I
B
= 0; V
CE
= 60V
Emitter cut-off current
I
C
= 0; V
EB
= 4V
Breakdown voltages
I
C
= 1 mA; I
B
= 0
I
C
= 1 mA; I
E
= 0
I
E
= 1 mA; I
C
= 0
Saturation voltage
I
C
= 2 A; I
B
= 0.2 A
Base emitter on voltage
I
C
= 1A; V
CE
= 2V
D.C. current gain
I
C
= 0.1A; V
CE
= 2V
I
CBO
I
CEO
max.
max.
0.1 mA
5.0 mA
I
EBO
max.
1.0 mA
V
CEO
V
CBO
V
EBO
min.
min.
min.
60 V
60 V
5.0 V
V
CEsat
*
max.
1.0 V
V
BE(on)
*
max.
1.5 V
h
FE
*
min.
40
I
C
= 1A; V
CE
= 2V**
h
FE
*
min.
max.
40
320
Transition frequency
I
C
= 500 mA; V
CE
= 5V
f
T
typ.
8 MHz
*Pulse test: pulse width
≤
300 μs; duty cycle
≤
2.0%.
** h
FE
classification: C: 40-80 D: 60-120 E: 100-200 F: 160-320
CSB507, CSD313
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| CSB507E | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
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