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參數(shù)資料
| 型號： | CSA1162GR(G)-3F |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 低頻通用放大器晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | CSA1162GR(G)-3F |
Continental Device India Limited
Data Sheet
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Total power dissipation at T
amb
= 25°C
Storage temperature
Junction temperature
P
tot
Tstg
T
j
max.
–50 to +150 ° C
max.
150 mW
150 ° C
CHARACTERISTICS
(at T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Collector-emitter breakdown voltage
–I
C
= 1 mA; I
B
= 0
–V
(BR)CEO
min
50 V
Collector cut-off current
–V
CB
= 50 V; I
E
= 0
–I
CBO
max.
100 nA
Emitter cut-off current
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
I
EBO
max.
100 nA
Saturation voltage
–I
C
= 100 mA; –I
B
= 10 mA
–V
CEsat
max.
0.3 V
D.C. current gain
I
C
= 2 mA; –V
CE
= 6 V
h
FE
min.
max.
70
400
Y
min.
max.
120
240
GR(G)
min.
max.
200
400
Transition frequency
V
CE
= 10 V; I
C
= 1 mA
f
T
min.
80 MHz
Collector output capacitance
V
CB
= 10 V; I
E
= 0; f = 1 MHz
C
ob
max.
7 pF
Noise figure
V
CE
= 6 V; I
C
= 0.1 mA
f = 1 kHz; R
g
= 10 k
W
N
F
max.
10 dB
CSA1162
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CSA1362 | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TRANSISTOR |
| CSA1585BC | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| CSA562 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| CSA614 | PNP/NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR |
| CSD288 | PNP/NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CSA1162GRG-3F | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:LOW FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTOR |
| CSA1162Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-236AA |
| CSA1162Y-3E | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:LOW FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTOR |
| CSA1220 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.2A I(C) | TO-126 |
| CSA1220A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.2A I(C) | TO-126 |
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