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參數(shù)資料
| 型號： | CQ39BS |
| 英文描述： | TRIAC|200V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-39 |
| 中文描述： | 可控硅| 200伏五（DRM）的| 4A條口（T）的有效值| TO - 39封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | CQ39BS |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CQ39DS | TRIAC|400V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-39 |
| CQ39MS | TRIAC|600V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-39 |
| CQYP18 | CQYP18 - Dioda elektroluminescencyjna |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CQ39DS | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:CQ39DS Series 400 V 4 A Through Hole Triac Power Thyristor - TO-39 |
| CQ39DT | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:4.0 AMP TRIAC |
| CQ39MS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|600V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-39 |
| CQ39MT | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:4.0 AMP TRIAC |
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