參數(shù)資料
型號(hào): CPH6614
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device
中文描述: N溝道和P溝道MOSFET的硅通用開關(guān)設(shè)備
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大小: 65K
代理商: CPH6614
CPH6614
No.8068-2/6
Continued from preceding page.
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
[P-channel]
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=10V, VGS=10V, ID=1.8A
VDS=10V, VGS=10V, ID=1.8A
VDS=10V, VGS=10V, ID=1.8A
IS=1.8A, VGS=0
6.2
4.5
13
6.4
3.2
0.74
0.42
0.93
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
1.2
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--1mA, VGS=0
VDS=--30V, VGS=0
VGS=
±
16V, VDS=0
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--0.6A
ID=--0.6A, VGS=--10V
ID=--0.3A, VGS=--4V
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1.2A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1.2A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1.2A
IS=--1.2A, VGS=0
--30
V
μ
A
μ
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
--1
±
10
--2.6
--1.2
0.6
1.0
320
590
104
22
17
12.5
24
12
12.2
3.3
0.48
0.45
--0.91
420
830
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
--1.5
Package Dimensions
unit : mm
2238
Electrical Connection
1 : Gate1
2 : Source2
3 : Gate2
4 : Drain2
5 : Source1
6 : Drain1
SANYO : CPH6
0.05
0
0
0
1
0
0
0.95
1
2
3
6
5
4
2
0
2.9
0.15
0.4
6
5
4
1
2
3
1 : Gate1
2 : Source2
3 : Gate2
4 : Drain2
5 : Source1
6 : Drain1
Top view
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPH6616 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6621 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6622 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6704 CPH6704
CPH6801 P-Channel Silicon MOSFET+Schottky Barrier Diode for DC/DC Converter Applications(DC/DC變換器應(yīng)用的P溝道硅MOSFET+肖特基勢(shì)壘二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CPH6614-TL-E 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET NP CH SOT346 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
CPH6615 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:CPH6615
CPH6615-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
CPH6616 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6616-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A CPH6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR