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參數(shù)資料
| 型號： | CPH6612 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的硅通用開關(guān)設(shè)備 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | CPH6612 |
CPH6612
No.8106-3/4
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0.01
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7
2
3
5
tr
td(on)
t
td(off)
1.0
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0.6
0.4
0.2
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
4
6
8
10
RDS(on) -- VGS
IT07171
0
0.2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
0
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1.0
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1.0
0.1
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0.9
ID -- VDS
IT06289
0
0.2
0.4
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
ID -- VGS
VDS=10V
IT06290
RDS(on) -- Ta
IT07172
400
0
Ta=25
°
C
VGS=1.0V
1.5V
18V
2
4
1V
-
°
C
2
°
C
T7
°
C
350
300
250
200
150
100
50
ID=0.1A, VGS=1.8V
ID=0.5A, VGS=2.5V
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1.0A
0.5A
ID=0.1A
0.01
0.1
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
10
7
5
3
2
SW Time -- ID
IT07175
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT06293
0.01
0.1
2
3
5
7
1.0
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7
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2
y
fs
-- ID
VDS=10V
IT06294
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
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1.0
1.1
1.2
IF -- VSD
2
°
C
IT07176
-25
°
C
75
°
C
Ta=
25
°
C
VDD=10V
VGS=4V
VGS=0
T=5
°
C
-5
°
C
D
D
S
O
S
O
Ambient Temperature, Ta --
°
C
Drain Current, ID -- A
S
Drain Current, ID -- A
F
y
f
Diode Forward Voltage, VSD -- V
F
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
C
0
4
8
12
16
20
2
6
10
14
18
10
100
5
7
5
3
2
3
2
Ciss
Coss
Crss
f=1MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| CPH6616 | N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
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參數(shù)描述 |
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| CPH6613-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 2.5A CPH6 |
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