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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CPH6303 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4A I(D) | TSOP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 20V的五（巴西）直| 4A條（丁）|的TSOP |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | CPH6303 |
No.6395-3/4
CPH6303
2.0
1.5
1.6
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
PD -- Ta
2
3
5
7
2
3
5
7
2 3
5 7
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
100m
100
μ
s
<10
μ
s
10m
1m
--100
--10
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
--0.1
--0.01
--0.01
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7
2 3
5 7
--100
A S O
IDP=--16A
Operation in this
area is limited by RDS(on)
DCopeaion
2
3
5
7
2
3
5
7
td(on)
td(off)
tr
tf
1000
2
3
5
7
100
2
3
5
7
10
1.0
--0.1
2
3
5
7
--10
SW Time -- ID
VDD=--10V
VGS=--4V
IT00400
IT00402
IT00401
ID=--4A
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
8
10
12
14
16
2
4
6
18
VGS -- Qg
VDS=--10V
ID=--4A
10000
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0
--2
--4
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
VGS=0
--10
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
--0.1
--0.01
--0.001
0
--0.1
--0.2
Diode Forward Voltage, V
SD
– V
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--1.0
--0.9
--0.8
IF -- VSD
T=5
°
C
2
°
C
-5
°
C
100
10
1.0
0.01
--0.01
--10
Drain Current, I
D
– A
2
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
y
fs
-- ID
75
°
C
25
°
C
Ta=-25
°
C
0
IT00396
IT00398
IT00397
IT00399
VDS=--10V
S
Drain Current, I
D
– A
D
D
A
D
Ambient Temperature, Ta – C
Mounedonaceamcboad(900mm
2
×
08mm
C
G
G
Total Gate Charge, Qg – nC
F
F
Ta=25
°
C
Single Pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
2
×
0.8mm)
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH6304 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TSOP |
| CPH6316 | |
| CPH6318 | |
| CPH6319 | |
| CPM8361 | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CPH6304 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TSOP |
| CPH6306 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| CPH6311 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| CPH6311-TL-E | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| CPH6312 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Speed Switching Applications |
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