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參數(shù)資料
| 型號： | CPH5826 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device |
| 中文描述： | MOSFET的：N溝道MOSFET的硅SBD智能交通：肖特基二極管通用開關設備 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | CPH5826 |
CPH5826
No.7786-3/5
Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
4V
0V
trr Test Circuit
[SBD]
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
P.G
50
G
S
D
ID=1.5A
RL=6.67
VDD=10V
VOUT
CPH5826
VIN
VIN
Duty
≤
10%
50
100
10
--5V
trr
1
1
1
10
μ
s
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
Ta=25
°
C
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
VGS=0
20
40
60
80
100
120
140
0
--60
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
RDS(on) -- VGS
IT03492
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
0.1
0.2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
ID -- VDS
IT03490
ID -- VGS
IT03491
RDS(on) -- Ta
IT03493
ID=0.5A, VGS=1.8V
ID=1.5A, VGS=4.0V
ID=1.0A, VGS=2.5V
VGS=1.0V
1
-
°
C
2
°
C
T7
°
C
0
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
4
6
8
10
ID=0.5A
1.5A
4
2V
1V
1V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VDS=10V
1.0A
IT06996
0.01
2
3
5 70.1
0.001
2
3
5 7
2
3
5 71.0
2
3
0.01
0.1
1.0
7
5
3
2
3
2
10
7
5
7
5
3
2
y
fs
-- ID
VDS=10V
75
°
C
T=-25
°
C
IT03495
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0.1
1.0
7
5
3
2
10
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
IF -- VSD
-5
°
C
2
°
C
T=5
°
C
25
°
C
S
O
S
O
D
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
D
Ambient Temperature, Ta --
°
C
Drain Current, ID -- A
F
y
f
Diode Forward Voltage, VSD -- V
F
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