參數(shù)資料
型號: CPH5601
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: P-Channel Silicon MOSFET for Ultrahigh-Speed Switching Applications(超高速轉換應用的P溝道硅MOSFET)
中文描述: 個P - MOSFET的超高通道硅高速開關應用(超高速轉換應用的P溝道硅MOSFET的)
文件頁數(shù): 3/4頁
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代理商: CPH5601
No.6439-3/4
CPH5601
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
5.0
3.0
4.0
1.0
2.0
4.5
2.5
3.5
0.5
1.5
--9
--10
VGS -- Qg
VDS=--10V
ID=--1A
IT00788
0
0
20
40
0.2
60
0.4
0.6
80
100
120
0.8
1.0
0.9
1.2
140
160
PD -- Ta
IT00789
0
10
--2
100
--4
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
--6
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
--8
--20
--10
--12
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--18
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT00787
1.0
--0.1
3
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--1.0
2
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7
2
3
5
1000
100
7
5
3
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7
5
3
2
10
7
5
3
2
SW Time -- ID
VDD=--10V
VGS=--4V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT00786
A S O
100ms
DCopeaion
1m
10ms
IDP=--4A
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
--1.0
--0.1
--0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
--0.1
--1.0
--10
IT00790
100
μ
s
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
IT00784
--0.01
0.1
--0.1
Drain Current, I
D
– A
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
--10
y
fs
-- ID
VDS=--10V
75
°
C
25
°
C
T=-25
°
C
IT00785
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--0.01
--0.1
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
IF -- VSD
VGS = 0
-
°
C
2
°
C
T5
°
C
ID=--1A
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
F
F
F
Diode Forward Voltage, V
SD
– V
S
Drain Current, I
D
– A
C
G
G
Total Gate Charge, Qg – nC
D
D
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
A
D
Ambient Temperature, Ta –
°
C
Mounedonaceamcboad(600mm
2
×
08mm 1unt
Ta=25
°
C
Single pulse
1 unit
Mounted on a ceramic board (600mm
2
×
0.8mm)
相關PDF資料
PDF描述
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CPH5603 Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH5604 Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH5611 N CHANNEL SILICON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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CPH5603 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH5604 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH5605 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH5606 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:CPH5606