參數(shù)資料
型號(hào): CPH3427
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
中文描述: N溝道MOSFET的硅通用開關(guān)設(shè)備
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 49K
代理商: CPH3427
CPH3427
No.7917-3/4
VGS -- Qg
A S O
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
y
fs
-- ID
IF -- VSD
Drain Current, ID -- A
S
Drain Current, ID -- A
F
y
f
Diode Forward Voltage, VSD -- V
F
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
C
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
G
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
D
Ambient Temperature, Ta --
°
C
A
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
IT07453
0
0
20
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
60
80
100
120
140
160
IT07455
2
3
2
3
5
7
7
5
2
3
5
7
2
3
5
7
0.1
1.0
0.01
0.001
0.1
0.01
1.0
10
2
100
IT07454
5 7
2 3
5 7
2 3
5 7
2 3
5 7
2 3
IDP=4A
ID=1A
100
μ
s
100m
DCoprton(T=25
°
C
1m
0.1
1.0
2
3
5
7
3
2
3
2
10
7
5
7
5
3
2
1.0
VDD=50V
VGS=
10
V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT07451
IT07449
0.01
0.1
2
3
5
7
2
3
5
2
3
5
7
1.0
1.0
5
3
2
7
5
0.1
3
2
VDS=10V
75
°
C
25
°
C
IT07450
0.3
0.4
0.5
0.6
0.8
0.9
0.7
1.0
0.01
0.1
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
VGS=0
-5
°
C
2
°
C
T=5
°
C
0
5
10
15
20
25
30
7
5
100
10
2
7
5
3
5
7
2
3
IT07452
Ciss
f=1MHz
Crss
Coss
T=-25
°
C
VDS=50V
ID=1A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
<10
μ
s
Ta=25
°
C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
2
0.8mm)
Mounedonaceamcboad(900mm
2
08mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPH3431 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH3437 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH5501 DC/DC Converter Applications
CPH5503 DC / DC Converter Applications
CPH5504 High-Current Switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CPH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
CPH3430 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
CPH3430-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A CPH3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
CPH3431 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH3431-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 200V 0.6A CPH3