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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CPH3331 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| 中文描述： | P溝道MOSFET的硅通用開(kāi)關(guān)設(shè)備 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | CPH3331 |
CPH3331
No.8160-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=--100V, VGS=--10V, ID=--400mA
VDS=--100V, VGS=--10V, ID=--400mA
VDS=--100V, VGS=--10V, ID=--400mA
IS=--400mA, VGS=0
7.0
1.0
0.8
nC
nC
nC
V
--0.79
--1.2
Package Dimensions
unit : mm
2152A
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
0.05
0
0
0
1
0
0
1.9
1
2
3
2
0
2.9
0.15
0.4
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --200mA
RL=500
VDD= --100V
VOUT
CPH3331
VIN
0V
--10V
VIN
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
160
140
0
--2
--20
--4
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
RDS(on) -- VGS
IT08712
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--1.0
0
10
3
4
5
6
7
8
9
2
2
4
6
8
10
0
--2.5
--2.0
--1.5
--3.0
--0.5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VDS
D
IT08710
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
ID -- VGS
D
IT08711
Ambient Temperature, Ta --
°
C
IT08713
-1V
-60-40
-30V
VGS= --2.5V
Ta=25
°
C
ID= --200mA
VDS= --10V
T5
°
C
-5
°
C
2
°
C
ID=-200mA VGS=-10V
ID=-200mA VGS=-4V
S
O
S
O
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH3341 | P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
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參數(shù)描述 |
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