參數(shù)資料
型號(hào)： CPH3146
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
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代理商： CPH3146
CPH3146
No. A0538-2/4
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Ratings
typ
--100
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
--200
--160
--1.2
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--1A, IB=--50mA
IC=--1A, IB=--100mA
IC=--1A, IB=--100mA
IC=--10
μ
A, IE=0A
IC=--100
μ
A, RBE=0
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--10
μ
A, IC=0A
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
--80
--0.85
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
--60
--60
--60
--7
35
480
28
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7015A-003
Switching Time Test Circuit
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CPH3
2.9
0.05
0.4
2
1
0
0
0
0
0
0.15
2
1
3
0.95
IB2
IB1
INPUT
50
VR
1k
RL
OUTPUT
VBE=5V
VCC= --30V
IC= --10IB1=10IB2=IC= --0.5A
+
+
220
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VBE
C
IC -- VCE
-150mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
IT11573
IT11574
--3.0
--2.5
--1.5
--2.0
--0.5
--1.0
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
IB=0mA
--5mA
--20mA
--50mA
--100mA
-20mA
-5m
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
2
°
C
-
°
C
T5
°
C
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
VCE= --2V
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PDF描述
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