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參數(shù)資料
| 型號： | CPH3122 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨/瑞展硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | CPH3122 |
CPH3122 / CPH3222
No.7220-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
typ
(--180)130 (--270)195
(--)120
(--)0.83
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=
∞
IE=(--)10
μ
A, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
(--)180
(--)1.2
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
(--30)40
(--)30
(--)5
(50)30
(270)300
(27)25
Package Dimensions
unit : mm
2150A
Switching Time Test Circuit
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CPH3
0.05
0
0
0
1
0
0
1.9
1
2
3
2
0
2.9
0.15
0.4
VR
RB
VCC=12V
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
=24
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IC=20IB1= --20IB2=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0.2
0.3
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
CPH3122
VCE= --2V
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
--0.2
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--0.3
--0.1
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
IB=0
IB=0
CPH3222
VCE=2V
CPH3122
-0A
CPH3222
--4mA
--10mA
--8mA
--6mA
-m
-20mA
-3mA
10mA
5A
2mA
4mA
6mA
8mA
--2mA
IT04603
IT04605
IT04604
IT04606
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
2
°
C
-
°
C
T7
°
C
2
°
C
-
°
C
T7
°
C
30mA
4A
2m
IC -- VBE
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VCE
C
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
C
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH3234 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications |
| CPH3235 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications |
| CPH3236 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications |
| CPH3237 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications |
| CPH3238 | DC / DC Converter Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CPH3122_11 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| CPH3122-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CPH3122TL-E | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
| CPH3123 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| CPH3123-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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