參數(shù)資料
型號： CMPT3906GTR
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
中文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 120K
代理商： CMPT3906GTR
CMPT3904
CMPT3906
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
SYMBOL
CMPT3904G* CMPT3906G*
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
60
40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6.0
5.0
V
Continuous Collector Current
IC
200
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
ΘJA
357
°C/W
CMPT3904
CMPT3906
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C)
CMPT3904G*
CMPT3906G*
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
-
50
-
50
nA
IBL
VCE=30V, VEB=3.0V
-
50
-
50
nA
BVCBO
IC=10μA
60
-
40
-
V
BVCEO
IC=1.0mA
40
-
40
-
V
BVEBO
IE=10μA
6.0
-
5.0
-
V
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
-
0.20
-
0.25
V
VCE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
-
0.30
-
0.40
V
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
0.65
0.85
0.65
0.85
V
VBE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
-
0.95
-
0.95
V
hFE
VCE=1.0V, IC=0.1mA
40
-
60
-
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0mA
70
-
80
-
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
100
300
100
300
hFE
VCE=1.0V, IC=50mA
60
-
60
-
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
30
-
30
-
CMPT3904 CMPT3904G*
NPN
CMPT3906 CMPT3906G*
PNP
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
SOT-23 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R6 (23-January 2009)
DESCRIPTION:
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are
complementary silicon transistors manufactured by
the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for small signal
general purpose amplifier and switching applications.
MARKING CODES: CMPT3904:
C1A
CMPT3906:
C2A
CMPT3904G*: CG1
CMPT3906G*: CG2
* Device is Halogen Free by design
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PDF描述
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CMPT-4.70-0.77 制造商:TALEMA 制造商全稱:TALEMA 功能描述:Common Mode Toroidal Chokes
CMPT4033 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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