參數(shù)資料
型號： CMPT2222AE
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 45V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）| SOT - 23封裝
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： CMPT2222AE
Central
Semiconductor Corp.
TM
CMPT2222AE
ENHANCED SPECIFICATION
NPN SILICON TRANSISTOR
R0 (11-March 2002)
LEAD CODE:
1) Base
2) Emitter
3) Collector
MARKING CODES: C1PE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
Cib
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
hie
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
hie
VCE=10V, IC=10mA, f=1.0kHz
hre
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
hre
VCE=10V, IC=10mA, f=1.0kHz
hfe
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
hfe
VCE=10V, IC=10mA, f=1.0kHz
hoe
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
hoe
VCE=10V, IC=10mA, f=1.0kHz
rb’Cc
VCB=10V, IE=20mA, f=31.8MHz
NF
VCE=10V,IC=100μA, RS=1.0K
, f=1.0kHz
td
VCC=30V, VBE=0.5V, IC=150mA, IB1=15mA
tr
VCC=30V, VBE=0.5V, IC=150mA, IB1=15mA
ts
VCC=30V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA
tf
VCC=30V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA
MIN
TYP
MAX
8.0
25
8.0
1.25
8.0
4.0
300
375
35
200
150
4.0
10
25
225
60
UNITS
pF
pF
k
k
X10-4
X10-4
2.0
0.25
50
75
5.0
25
μmhos
μmhos
ps
dB
ns
ns
ns
ns
SOT-23 CASE - MECHANICAL OUTLINE
相關PDF資料
PDF描述
CMPT2907AE TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23
CMPT3904E TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
CMPT3906E TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
CMPT404A TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-236AB
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參數(shù)描述
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