參數(shù)資料
型號(hào)： CMLT5088E
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-563F
中文描述： 晶體管|晶體管|一對(duì)|叩| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 563F
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： CMLT5088E
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT5078E,
CMLT5087E, and CMLT5088E, are Silicon
transistors in a PICOmini surface mount package
with enhanced specifications designed for
applications requiring high gain and low noise.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25
o
C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
UNITS
V
V
V
mA
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
50
50
5.0
100
350
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
o
C
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25
o
C unless otherwise noted)
TYP
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
hfe
NF
TEST CONDITIONS
VCB=20V
VEB=3.0V
IC=100μA
IC=1.0mA
IE=100μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=100mA, IB=10mA
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE=5.0V, IC=0.1mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=500μA, f=20MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10k
f=10Hz to 15.7kHz
Enhanced specification.
Additional Enhanced specification.
MIN
NPN
PNP
MAX
50
50
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
50
50
5.0
135
65
8.7
45
110
700
430
435
430
125
150
105
7.5
50
225
700
390
380
350
75
100
400
800
900
300
300
300
50
100
MHz
pF
pF
4.0
15
1400
3.0
350
dB
CMLT5078E
CMLT5087E
CMLT5088E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
SILICON TRANSISTORS
SOT-563 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R1 ( 22-April 2002)
The following configurations are available:
CMLT5078E Dual, Complementary Marking Code: L78
CMLT5087E Dual, PNP
Marking Code: L87
CMLT5088E Dual, NPN
Marking Code: L88
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PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMLT5088E TR 功能描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CMLT5088EM 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT DUAL, MATCHED NPN SILICON TRANSISTORS
CMLT5088EM TR 功能描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CMLT5551 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual NPN Small Sgnl High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMLT5551 TR 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.6A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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