參數(shù)資料
型號： CMBT2907
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-236AA
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 40V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至236AA
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 41K
代理商： CMBT2907
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 4
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
P–N–P silicon transistors
Marking
CMBT2907 = 2B
CMBT2907A = 2F
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
CMBT2907
max.
max.
max.
max.
max.
max.
CMBT2907A
60
60
5,0
600
250
150
Collector–base voltage (open emitter)
Collector–emitter voltage (open base)
Emitter–base voltage (open collector)
Collector current (d.c.)
Total power dissipation up to T
amb
= 25 °CP
tot
Junction temperature
D.C. current gain
–I
C
= 500mA; –V
CE
= 10V
Turn–off switching time
—I
Con
= 150 mA; –I
Bon
= I
Boff
= 15 mA t
off
Transition frequency at f = 100 MHz
—I
C
= 50 mA; –V
CE
= 20 V
–V
CB0
–V
CE0
–V
EB0
–I
C
60
40
V
V
V
mA
mW
° C
T
j
h
FE
>
30
50
<
100
ns
f
T
>
200
MHz
CMBT2907
CMBT2907A
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN mm
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
2
1
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
SOT-23 Formed SMD Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMBT200 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
CMBT200A TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
CMBT2222 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-236AA
CMBT2222A TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-236AA
CMBT2369 TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMBT2907A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP,0.6A,60V GenPur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2907A-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.6A 60V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2907AT/-W 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.6A 60V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT3903 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
CMBT3904 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN,0.2A,40V GenPur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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