| 型號: | CM75TU-24F |
| 廠商: | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述: | HIGH POWER SWITCHING USE |
| 中文描述: | 大功率開關使用 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大小: | 81K |
| 代理商: | CM75TU-24F |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM75TU-24F | Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1200 Volts |
| CM75TU-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75TU-24H | Six IGBTMOD 75 Amperes/1200 Volts |
| CM800E2Z-66H | HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM800HA-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CM75TU-24F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM75TU-24H | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 75A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM75TU-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75TU-34KA | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1700V 75A KA SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM75TU-34KA_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |