參數(shù)資料
型號(hào)： CM600DU-24F
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Dual IGBTMOD 600 Amperes/1200 Volts
中文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： CM600DU-24F
1
Dual IGBTMOD
F-Series Module
600 Amperes/1200 Volts
CM600DU-24F
Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
Description:
Powerex IGBTMOD Modules are
designed for use in switching
applications. Each module consists
of two IGBT Transistors in a half-
bridge configuration with each
transistor having a reverse-
connected super-fast recovery
free-wheel diode. All components
and interconnects are isolated
from the heat sinking baseplate,
offering simplified system
assembly and thermal
management.
Features:
□
Low Drive Power
□
Low V
CE(sat)
□
Discrete Super-Fast Recovery
Free-Wheel Diode
□
Isolated Baseplate for Easy
Heat Sinking
Applications:
□
AC Motor Control
□
Motion/Servo Control
□
UPS
□
Welding Power Supplies
□
Laser Power Supplies
Ordering Information:
Example: Select the complete
module number you desire from
the table - i.e. CM600DU-24F is a
1200V (V
CES
), 600 Ampere Dual
IGBTMOD Power Module.
Current Rating
Amperes
V
CES
Type
Volts (x 50)
CM
600
24
T - (4 TYP.)
C2E1
E2
RTC
G1
C1
E1
E2
G2
C
L
W -
(4 PLACES)
L
A
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
P
R
U
V
D
X
Y
Z
AA
TC MEASURED POINT
B
C
E
S - (3 PLACES)
RTC
C
E
C
E
G
E
G
Dimensions
Inches
Millimeters
A
5.51
140.0
B
5.12
130.0
C
5.12
130.0
D
1.38 +0/-0.02
35.0 +0/-0.5
E
4.33
±
0.01
4.33
±
0.01
110.0
±
0.25
110.0
±
0.25
F
G
0.39
10.0
H
0.45
11.5
J
0.54
13.8
K
1.72
43.8
L
1.42
36.0
M
0.39
10.0
N
0.80
20.4
Dimensions
Inches
Millimeters
P
0.57
14.5
Q
1.57
40.0
R
2.56
65.0
S
M8
M8
T
0.26 Dia.
6.5 Dia.
U
0.32
8.0
V
0.97 +0.04/-0.02 24.5 +1.0/-0.5
W
M4
M4
X
0.59
15.0
Y
0.35
9.0
Z
1.02
26.0
AA
0.79
20.0
Outline Drawing and Circuit Diagram
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM600DU-5F Dual IGBTMOD 600 Amperes/1200 Volts
CM600DY-34H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM600E2Y-34H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM600HA-24A Single IGBTMOD⑩ A-Series Module 600 Amperes/1200 Volts
CM600HA24H Single IGBTMOD H-Series Module 600 Amperes/1200 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CM600DU-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM600DU-24NFH 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 600A NFH SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM600DU-24NFH_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM600DU-5F 功能描述:IGBT MOD DUAL 250V 600A F SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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