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CM50TF24H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C)
CM600E2Y34H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.7KV V(BR)CES \| 600A I(C)
CM600HA12E	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 600A I(C)
CM600HA24E	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C)
CM600HA28	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.4KV V(BR)CES \| 600A I(C)

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CM50TF24H

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)

CM600E2Y34H

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 600A I(C)

CM600HA12E

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 600A I(C)

CM600HA24E

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C)

CM600HA28

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CM50TF24H	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C)
CM50TF-24H	功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 50A H SER RoHS:否類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM50TF-28H	功能描述:IGBT MOD 6PAC 1400V 50A H SER RoHS:否類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM50TJ-24F	制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 50 Amperes/1200 Volts
CM50TL-24NF	功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 50A NF SER RoHS:是類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

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CM50TF24H

制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)

CM50TF-24H

功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 50A H SER RoHS:否類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

CM50TF-28H

功能描述:IGBT MOD 6PAC 1400V 50A H SER RoHS:否類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

CM50TJ-24F

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CM50TL-24NF

功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 50A NF SER RoHS:是類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

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型號：	CM50TF24E
英文描述：	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C)
中文描述：	晶體管\| IGBT功率模塊\| 3 - PH值大橋\| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展\| 50A條一（c）
文件頁數(shù)：	2/4頁
文件大?。?/td>	314K
代理商：	CM50TF24E

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