參數(shù)資料
型號(hào)： CM50E3Y12E
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 50A條一（c）
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代理商： CM50E3Y12E
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PDF描述
CM50E3Y24E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)
CM521220 THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|200A I(T)
CM520820 THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|800V V(RRM)|200A I(T)
CM521620 THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.6KV V(RRM)|200A I(T)
CM530413 THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|400V V(RRM)|130A I(T)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM50E3Y24E 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)
CM50MD1-12H 制造商:POWEREX 制造商全稱(chēng):Powerex Power Semiconductors 功能描述:CI Module Three Phase Converter Three Phase Inverter 50 Amperes/600 Volts
CM50MD-12H 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
CM50MX-24A 功能描述:CIB MOD 1200V 50A NX SER RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM50MX-24A_12 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE
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