參數(shù)資料
型號： CM400HU-24F
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Trench Gate Design Single IGBTMOD⑩ 400 Amperes/1200 Volts
中文描述： 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-4
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： CM400HU-24F
Aug. 1999
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM400HU-24F
HIGH POWER SWITCHING USE
V
GE
= 20V
T
j
= 25
°
C
15
11
10
9.5
9
8.5
8
800
500
200
600
700
400
300
100
00
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
2.5
2
1.5
0.5
1
00
200
400
600
800
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
V
GE
= 15V
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
T
j
= 25
°
C
5
4
3
2
1
0
20
6
8
12
16
10
14
18
I
C
= 800A
I
C
= 400A
I
C
= 160A
T
j
= 25
°
C
10
–1
10
0
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
2
10
0
3
5 7
2
10
1
3
5 7
2
10
2
3
5 7
V
GE
= 0V
C
ies
C
oes
C
res
10
1
10
2
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
2
3
5
7
10
0
Conditions:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 0.78
T
j
= 125
°
C
Inductive load
2
3
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
GATE-EMITTER VOLTAGE V
GE
(V)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
E
E
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
CAPACITANCE–V
CE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
i
,
o
,
r
(
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
S
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
PERFORMANCE CURVES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM400HU-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM400HU-24H Single IGBTMOD 400 Amperes/1200 Volts
CM431A LOW VOLTAGE ADJUSTABLE SHUNT REGULATOR
CM431AACM233 LOW VOLTAGE ADJUSTABLE SHUNT REGULATOR
CM431AACM235 LOW VOLTAGE ADJUSTABLE SHUNT REGULATOR
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參數(shù)描述
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