參數(shù)資料
型號(hào)： CM400DU-12F
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 400 Amperes/600 Volts
中文描述： 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 73K
代理商： CM400DU-12F
Aug. 1999
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM400DU-12F
HIGH POWER SWITCHING USE
600
700
800
400
200
500
300
100
00
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
11
10
15
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
0
0.5
1
1.5
2
3.5
4
2.5
3
10
0
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
–1
2
10
0
3
5 7
2
10
1
3
5 7
2
10
2
3
5 7
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
800
0
200
400
600
5
4
3
2
1
06
8
10
12
14
16
18
20
10
0
10
1
2 3
5 7
10
2
2 3
5 7
10
3
2 3
5 7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
0
9
8.5
8
7.5
9.5
V
GE
=20V
T
j
=25
°
C
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
V
GE
= 15V
I
C
= 800A
I
C
= 400A
I
C
= 160A
T
j
= 25
°
C
T
j
= 25
°
C
V
GE
= 0V
C
ies
C
oes
C
res
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
Conditions:
V
CC
= 300V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.1
T
j
= 125
°
C
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
GATE-EMITTER VOLTAGE V
GE
(V)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
E
E
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
CAPACITANCE–V
CE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
i
,
o
,
r
(
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
S
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
PERFORMANCE CURVES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM400DU-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM400DU-12H Dual IGBTMOD 400 Amperes/600 Volts
CM400DY-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM400DY-12H Dual IGBTMOD 400 Amperes/600 Volts
CM400DY-24A HIGH POWER SWITCHING USE
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參數(shù)描述
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