| 型號: | CM400DU-12F |
| 廠商: | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述: | HIGH POWER SWITCHING USE |
| 中文描述: | 大功率開關(guān)使用 |
| 文件頁數(shù): | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商: | CM400DU-12F |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM400DU-12F | Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 400 Amperes/600 Volts |
| CM400DU-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM400DU-12H | Dual IGBTMOD 400 Amperes/600 Volts |
| CM400DY-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM400DY-12H | Dual IGBTMOD 400 Amperes/600 Volts |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CM400DU-12F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM400DU-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 400A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| CM400DU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM400DU-12NFH | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 400A NFH SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| CM400DU-12NFH_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |