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參數(shù)資料
| 型號： | CM200HA24E |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 200安培我（丙） |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 291K |
| 代理商： | CM200HA24E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM200HA24H | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
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| CM20TF12E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 20A I(C) |
| CM20TF24E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 20A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CM200HA24H | 制造商:IXYS 功能描述:MODULE |
| CM200HA-24H | 功能描述:IGBT MOD SGL 1200V 200A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| CM200HA28 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.4KV V(BR)CES | 200A I(C) |
| CM200HG-130H | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| CM-200LM012-AMB | 制造商:CML Innovative Technologies 功能描述:LED MODULE X12 AMBER |
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