參數(shù)資料
型號(hào)： CM200DY-24A
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH POWER SWITCHING USE
中文描述： 大功率開(kāi)關(guān)使用
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
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代理商： CM200DY-24A
Mar. 2004
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM200DY-24A
HIGH POWER SWITCHING USE
0
4
8
16
12
20
0
800
400
1200
600
200
1400
1000
GATE CHARGE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
G
G
(
GATE CHARGE Q
G
(nC)
V
CC
= 600V
V
CC
= 400V
I
C
= 200A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM200DY-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM200DY-24H Dual IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts
CM200DY-24NF MITSUBISHI IGBT MODULES
CM200DY-28H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM200DY-28H Dual IGBTMOD 200 Amperes/1400 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM200DY24E 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
CM200DY24H 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
CM200DY-24H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 200A H SER RoHS:否 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM200DY-24NF 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 200A NF SER RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM200DY-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
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