參數(shù)資料
型號(hào): CM200DY-12H
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
中文描述: 大功率開(kāi)關(guān)使用絕緣型
文件頁(yè)數(shù): 4/4頁(yè)
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代理商: CM200DY-12H
Sep.1998
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM200DY-12H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
TIME, (s)
N
t
IMPETRANSI(IGBT)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.16
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
TIME, (s)
N
t
IMPETRANSI(FWDi)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.35
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM200DY-12H Dual IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts
CM200DY-12NF HIGH POWER SWITCHING USE
CM200DY-24A HIGH POWER SWITCHING USE
CM200DY-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM200DY-24H Dual IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM200DY-12NF 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 200A NF SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM200DY-12NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM200DY-24A 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 200A A SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM200DY24E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
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