參數(shù)資料
型號： CM200DU-24F
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH POWER SWITCHING USE
中文描述： 大功率開關使用
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： CM200DU-24F
Aug. 1999
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM200DU-24F
HIGH POWER SWITCHING USE
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
t
rr
I
rr
0
6
4
2
10
8
16
14
12
20
18
0
500
1500
2500 3000
1000
2000
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
I
C
= 200A
10
1
10
–3
10
–5
10
–4
10
0
7
5
3
2
10
–2
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–3
2 3 57
IGBT part:
Per unit base = R
th(j–c)
= 0.15
°
C/W
FWDi part:
Per unit base = R
th(j–c)
= 0.18
°
C/W
2 3 57
2 3 57
2 3 57
10
1
10
–2
10
–1
10
0
10
–3
10
–3
7
5
3
2
10
–2
7
5
3
10
–1
3
2
2 3 57
2 3 57
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
Conditions:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 1.6
T
j
= 25
°
C
Inductive load
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE
(TYPICAL)
EMITTER CURRENT I
E
(A)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT part & FWDi part)
N
T
t
°
C
TMIE (s)
GATE CHARGE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
G
G
(
GATE CHARGE Q
G
(nC)
R
r
(
R
r
(
相關PDF資料
PDF描述
CM200DU-24F Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 200 Amperes/1200 Volts
CM200DU-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM200DU-24H Dual IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts
CM200DU-24NFH HIGH POWER SWITCHING USE
CM200DY-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM200DU-24F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM200DU-24H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 200A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
CM200DU-24H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM200DU-24NFH 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 200A NFH SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
CM200DU-24NFH_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*