參數(shù)資料
型號(hào)： CM15MD3-12H
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： MEDIUM POWER SWITCHING USE FLAT-BASE TYPE, INSULATED TYPE
中文描述： 中功率開(kāi)關(guān)使用平面性基地型，絕緣型
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 164K
代理商： CM15MD3-12H
Feb.1999
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM15MD3-12H
MEDIUM POWER SWITCHING USE
FLAT-BASE TYPE, INSULATED TYPE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25
°
C)
INVERTER PART
CONVERTER PART
Note 1. I
E
, V
EC
, t
rr,
Q
rr
& die/dt represent characteristics of the anti-parallel, emitter to collector free-wheel diode.
2. Pulse width and repetition rate should be such that the device junction temp. (T
j
) does not exceed T
jmax
rating.
3. Junction temperature (T
j
) should not increase beyond 150
°
C.
4. Pulse width and repetition rate should be such as to cause negligible temperature rise.
5. Thermal resistance is specified under following conditions.
The conductive greese applied, between module and fin.
Al plate is used as fin.
Collector cutoff current
Gate-emitter
threshold voltage
Gate-emitter cutoff current
Collector-emitter
saturation voltage
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Total gate charge
Turn-on delay time
Turn-on rise time
Turn-off delay time
Turn-off fall time
Emitter-collector voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Thermal resistance
V
V
1
0.5
2.8
—
1.5
1.2
0.3
—
120
300
200
300
2.8
110
—
2.8
3.5
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
V
CC
= 300V, I
C
= 15A, V
GE
= 15V
V
CC
= 300V, I
C
= 15A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 42
Resistive load
I
E
= 15A, V
GE
= 0V
I
E
= 15A, V
GE
= 0V
di
e
/ dt = – 30A /
μ
s
IGBT part, Per 1/6 module
FWDi part, Per 1/6 module
mA
μ
A
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
μ
C
°
C/W
°
C/W
—
—
2.1
2.15
—
—
—
45
—
—
—
—
—
—
0.04
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
I
CES
I
GES
C
ies
C
oes
C
res
Q
G
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
V
EC (Note. 1)
t
rr
(Note. 1)
Q
rr
(Note. 1)
R
th(j-f)
Q
(Note. 5)
R
th(j-f)
R
(Note. 5)
Symbol
Parameter
Test conditions
V
GE(th)
V
CE(sat)
Limits
Typ.
Min.
Max.
Unit
6
4.5
7.5
I
C
= 1.5mA, V
CE
= 10V
I
C
= 15A, V
GE
= 15V
(Note. 4)
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
Repetitive reverse current
Forward voltage drop
Thermal resistance
V
R
= V
RRM
, T
j
= 150
°
C
I
F
= 25A
Per 1/4 module
mA
V
°
C/W
—
—
—
—
—
—
I
RRM
V
FM
R
th(j-f)
(Note. 5)
Symbol
Parameter
Condition
Limits
Typ.
Min.
Max.
Unit
8
1.6
3.6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM15MD3-12H CI Module Single Phase Converter Three Phase Inverter 15 Amperes/600 Volts
CM15S1030 Molded DYAD
CM15S1015 Molded DYAD
CM15S1020 Molded DYAD
CM15S2025 Molded DYAD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM15P 制造商:Samson Technologies 功能描述:15'' Gooseneck Podium Microphone
CM15R 制造商:Velleman Inc 功能描述:
CM15S1015 功能描述:SWITCH REED 10-15AT SPST .5A RoHS:是 類(lèi)別:開(kāi)關(guān) >> 磁簧 系列:CM15S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類(lèi)型:模制殼體 電路:SPST-NO 必須的操作范圍:- 必須的釋放范圍:- 最大開(kāi)關(guān)電流 (DC):1A 最大開(kāi)關(guān)電壓 (DC):200V 最大開(kāi)關(guān)功率:15W 磁體:包括在內(nèi) 安裝類(lèi)型:底座安裝 端接類(lèi)型:- 包裝:散裝
CM15S1020 功能描述:SWITCH REED 10-20AT SPST .5A RoHS:是 類(lèi)別:開(kāi)關(guān) >> 磁簧 系列:CM15S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類(lèi)型:模制殼體 電路:SPST-NO 必須的操作范圍:- 必須的釋放范圍:- 最大開(kāi)關(guān)電流 (DC):1A 最大開(kāi)關(guān)電壓 (DC):200V 最大開(kāi)關(guān)功率:15W 磁體:包括在內(nèi) 安裝類(lèi)型:底座安裝 端接類(lèi)型:- 包裝:散裝
CM15S1030 功能描述:SWITCH REED 10-30AT SPST .5A RoHS:是 類(lèi)別:開(kāi)關(guān) >> 磁簧 系列:CM15S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類(lèi)型:模制殼體 電路:SPST-NO 必須的操作范圍:- 必須的釋放范圍:- 最大開(kāi)關(guān)電流 (DC):1A 最大開(kāi)關(guān)電壓 (DC):200V 最大開(kāi)關(guān)功率:15W 磁體:包括在內(nèi) 安裝類(lèi)型:底座安裝 端接類(lèi)型:- 包裝:散裝
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