參數(shù)資料
型號： CM150TU-12F
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
中文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： CM150TU-12F
Aug. 1999
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM150TU-12F
HIGH POWER SWITCHING USE
300
200
100
250
150
50
0.5
1.5
2.5
3.5
1
2
3
4
00
7.5
1511
10
9.5
8.5
8
10
0
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
10
–1
10
0
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3
5
7
10
1
2
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3
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7
10
–1
2
10
0
3
5 7
2
10
1
3
5 7
2
10
2
3
5 7
2.5
3
2
1.5
1
0.5
0
300
0
100
200
5
4
3
2
1
0
16
18
20
6
8
10
12
14
10
0
10
1
2 3
5 7
10
2
2 3
5 7
10
3
2 3
5 7
10
1
10
0
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
I
C
= 300A
I
C
= 150A
I
C
= 60A
T
j
= 25
°
C
V
CC
= 300V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 4.2
T
j
= 125
°
C
Conditions:
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
T
j
=25
°
C
V
GE
=20V
9
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
V
GE
= 15V
T
j
= 25
°
C
V
GE
= 0V
C
res
C
oes
C
ies
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
GATE-EMITTER VOLTAGE V
GE
(V)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
E
E
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
CAPACITANCE–V
CE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
i
,
o
,
r
(
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
S
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
PERFORMANCE CURVES
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