參數(shù)資料
型號(hào)： CM150E3U-12H
廠商： POWEREX INC
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Chopper IGBTMOD 150 Amperes/600 Volts
中文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： CM150E3U-12H
Sep.1998
TIME, (s)
t
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.21
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
TIME, (s)
t
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDi)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.47
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
GATE CHARGE, Q
G
, (nC)
G
G
,
GATE CHARGE, V
GE
20
0
100
200
15
10
5
0
300
400
V
CC
= 300V
V
CC
= 200V
I
C
= 150A
EMITTER CURRENT, I
E
, (AMPERES)
R
r
,
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10
3
10
1
10
2
10
3
10
2
10
1
t
rr
I
rr
10
2
10
1
10
0
r
,
di/dt = -300A/
μ
sec
T
j
= 25
°
C
COLLECTOR CURRENT, I
C
, (AMPERES)
10
3
10
1
10
2
10
3
10
2
10
1
10
0
t
d(off)
t
d(on)
t
r
V
CC
= 300V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 4.2
T
j
= 125
°
C
t
f
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM150E3U-12H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM150E3U-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3U-24H Chopper IGBTMOD 150 Amperes/1200 Volts
CM150TF-12H 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
CM150TF-12H 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
CM150TU-12F 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM150E3U-12H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3U-24F 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE
CM150E3U-24H 功能描述:IGBT MOD CHOP 1200V 150A U SER RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM150E3U-24H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3Y12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 150A I(C)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*