型號(hào): | CM150DY24E |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
中文描述: | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.2KV五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 150A一(c) |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 321K |
代理商: | CM150DY24E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CM200DU12H | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
CM200DY12E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
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CM200DY24E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CM150DY-24E | 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:DUAL IGBTMOD-TM E-SERIES MODULE 150 AMPERES / 1200 VOLTS |
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CM150DY-24NF | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 150A NF SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
CM150DY-24NF_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
CM150DY-28H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 150A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |