參數(shù)資料
型號(hào)： CM100TU-12H
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 56K
代理商： CM100TU-12H
Sep.1998
TIME, (s)
t
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.31
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
TIME, (s)
t
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDi)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.7
°
C/W
Z
t
t
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100TU-12H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM100TU-24F HIGH POWER SWITCHING USE
CM100TU-24F Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 100 Amperes/1200 Volts
CM100TU-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100TU-24H Six IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts
CM1084SCN263 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM100TU-12H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100TU-12H_12 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100TU-24F 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 100A F SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM100TU-24F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MITSUBISHI IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM100TU-24H 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 100A U SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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