參數(shù)資料
型號(hào)： CM100E3U-12H
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
中文描述： 大功率開關(guān)使用絕緣型
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： CM100E3U-12H
Sep.1998
Thermal and Mechanical Characteristics, T
j
= 25 °C unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal Resistance, Junction to Case
R
th(j-c)
Q
R
th(j-c)
D
R
th(j-c)
R
th(c-f)
Per IGBT
–
–
0.31
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
Per FWDi
–
–
0.7
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
Clamp Diode Part
–
–
0.7
°C/W
Contact Thermal Resistance
Per Module, Thermal Grease Applied
–
0.035
–
°C/W
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100E3U-12H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V
CE
, (VOLTS)
C
C
,
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
0
2
4
6
8
10
120
40
0
V
GE
= 20V
15
13
12
11
8
T
j
= 25
o
C
80
160
200
10
9
14
GATE-EMITTER VOLTAGE, V
GE
, (VOLTS)
C
,
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
0
4
8
12
16
20
160
120
80
40
0
200
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
COLLECTOR-CURRENT, I
C
, (AMPERES)
C
S
C
,
)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
5
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
40
80
120
160
4
3
2
1
0
200
GATE-EMITTER VOLTAGE, V
GE
, (VOLTS)
S
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10
T
j
= 25°C
0
4
8
12
16
20
8
6
4
2
0
I
C
= 40A
I
C
= 200A
I
C
= 100A
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
10
1
10
2
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V
EC
, (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10
3
E
E
,
T
j
= 25°C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V
CE
, (VOLTS)
C
i
,
o
,
r
,
CAPACITANCE VS. V
CE
(TYPICAL)
10
-1
10
0
10
2
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
V
GE
= 0V
10
1
C
ies
C
oes
C
res
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM100E3U-12H Chopper IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts
CM100E3U-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100E3U-24H Chopper IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts
CM100TF-12H 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
CM100TF-12H 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM100E3U-12H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100E3U24H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100E3U-24H 功能描述:IGBT MOD CHOP 1200V 100A U SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM100E3U-24H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100E3Y12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
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