參數(shù)資料
型號(hào)： CM100DY28
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.4KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 100號(hào)A一（c）
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 93K
代理商： CM100DY28
Mar.2003
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100DY-24NF
HIGH POWER SWITCHING USE
PERFORMANCE CURVES
200
160
40
120
80
00
4
6
8
10
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
T
j
= 25
°
C
12
11
10
9
V
GE
=
20V
2
15
13
4
3
2
1
00
200
150
100
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
V
GE
= 15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
50
10
8
6
4
2
0
20
12
14
6
8
10
16
18
GATE-EMITTER VOLTAGE V
GE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
T
j
= 25
°
C
I
C
= 200A
I
C
= 40A
I
C
= 100A
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
0
1
2
4
3
5
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
E
E
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
10
–
1
10
0
10
–
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
2
10
0
3
5 7
2
10
1
3
5 7
2
10
2
3
5 7
CAPACITANCE–V
CE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
i
,
o
,
r
(
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
C
ies
C
oes
C
res
V
GE
= 0V
10
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
10
2
5
7
10
3
2
3
5
7
2
3
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
S
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
Conditions:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.1
T
j
= 125
°
C
Inductive load
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM100DY28H TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100E3U24H TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100E3Y12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
CM100E3Y24E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100TF12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM100DY28H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100DY-28H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 100A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM100DY-34A 功能描述:IGBT MOD DUAL 1700V 100A A SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM100-E0000B 功能描述:以太網(wǎng)模塊 Cobox Mini Device Server 10/100 2-TTL RoHS:否 制造商:Lantronix 產(chǎn)品:Device Servers 數(shù)據(jù)速率:300 bps to 921.6 kbps, 10 Mbps, 100 Mbps 接口類型:Ethernet, Serial 工作電源電壓:5 V to 15 V 工作電源電流:133 mA to 400 mA 最大工作溫度:+ 70 C
CM100E3U-12H 功能描述:IGBT MOD CHOP 600V 100A U SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*