參數(shù)資料
型號： CM100DY24E
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 100號A一（c）
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： CM100DY24E
Mar.2003
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100DY-24NF
HIGH POWER SWITCHING USE
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
t
rr
I
rr
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE
(TYPICAL)
EMITTER CURRENT I
E
(A)
R
r
(
R
r
(
Conditions:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.1
T
j
= 25
°
C
Inductive load
10
–
3
10
–
5
10
–
4
10
0
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
7
5
3
2
10
–
3
2 3 57
2 3 57
2 3 57
2 3 57
10
1
10
–
2
10
–
1
10
0
10
–
3
10
–
3
5
3
2
10
–
2
5
3
2
10
–
1
2 3 57
2 3 57
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT part & FWDi part)
N
T
t
–
c
TMIE (s)
IGBT part:
Per unit base =
R
th(j
–
c)
= 0.19
°
C/W
FWDi part:
Per unit base =
R
th(j
–
c)
= 0.35
°
C/W
0
4
8
16
12
20
0
400
200
800
1000
600
GATE CHARGE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
G
G
(
GATE CHARGE Q
G
(nC)
V
CC
= 600V
V
CC
= 400V
I
C
= 100A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM100DY24H TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
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CM100DY28H TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
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參數(shù)描述
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CM100DY-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM100DY28 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
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