參數資料
型號： CM100DY12E
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 100號A一（c）
文件頁數： 3/4頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： CM100DY12E
Mar.2003
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100DY-24NF
HIGH POWER SWITCHING USE
PERFORMANCE CURVES
200
160
40
120
80
00
4
6
8
10
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
T
j
= 25
°
C
12
11
10
9
V
GE
=
20V
2
15
13
4
3
2
1
00
200
150
100
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
V
GE
= 15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
50
10
8
6
4
2
0
20
12
14
6
8
10
16
18
GATE-EMITTER VOLTAGE V
GE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
T
j
= 25
°
C
I
C
= 200A
I
C
= 40A
I
C
= 100A
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
0
1
2
4
3
5
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
E
E
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
10
–
1
10
0
10
–
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
2
10
0
3
5 7
2
10
1
3
5 7
2
10
2
3
5 7
CAPACITANCE–V
CE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
i
,
o
,
r
(
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
C
ies
C
oes
C
res
V
GE
= 0V
10
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
10
2
5
7
10
3
2
3
5
7
2
3
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
S
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
Conditions:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.1
T
j
= 125
°
C
Inductive load
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
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PDF描述
CM100DY12H TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
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