參數(shù)資料
型號(hào)： CM1000HA24H
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 1KA I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 1KA我（丙）
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： CM1000HA24H
Mar.2003
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100DY-24NF
HIGH POWER SWITCHING USE
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
t
rr
I
rr
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE
(TYPICAL)
EMITTER CURRENT I
E
(A)
R
r
(
R
r
(
Conditions:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.1
T
j
= 25
°
C
Inductive load
10
–
3
10
–
5
10
–
4
10
0
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
7
5
3
2
10
–
3
2 3 57
2 3 57
2 3 57
2 3 57
10
1
10
–
2
10
–
1
10
0
10
–
3
10
–
3
5
3
2
10
–
2
5
3
2
10
–
1
2 3 57
2 3 57
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT part & FWDi part)
N
T
t
–
c
TMIE (s)
IGBT part:
Per unit base =
R
th(j
–
c)
= 0.19
°
C/W
FWDi part:
Per unit base =
R
th(j
–
c)
= 0.35
°
C/W
0
4
8
16
12
20
0
400
200
800
1000
600
GATE CHARGE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
G
G
(
GATE CHARGE Q
G
(nC)
V
CC
= 600V
V
CC
= 400V
I
C
= 100A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM100DY12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
CM100DY12H TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
CM100DY24E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100DY24H TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100DY28 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM1000HA-24H 功能描述:IGBT MOD SGL 1200V 1000A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM1000HA-28H 功能描述:IGBT MOD SGL 1400V 1000A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM1000HC-66R 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM1001 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIERS
CM100117 制造商:KYOCERA Corporation 功能描述:CM100117
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