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參數(shù)資料
| 型號： | CLX32 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
| 中文描述： | 伊雷爾X波段砷化鎵功率場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 635K |
| 代理商： | CLX32 |
CLX32
S emiconductor Group
4 of 10
Draft D, S eptember 99
Electrical Characteristics
(continued)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
AC Characteristics
Linear power gain
1)
V
DS
= 8 V, I
D
= 400 mA, f = 2.3 GHz,
P
in
= 8 dBm
G
lp
dB
CLX32-00
15.0
16.0
-
CLX32-05
15.5
16.5
-
CLX32-10
15.5
16.5
-
Power output at 1dB gain compr.
1)
V
DS
= 8 V, I
D(RF off)
= 400 mA, f = 2.3 GHz
P
1dB
dBm
CLX32-00
-
31.5
-
CLX32-05
-
32.3
-
CLX32-10
-
32.8
-
Output Power
1)
V
DS
= 8 V, I
D(RF off)
= 400 mA, f = 2.3 GHz,
P
in
= 18.0 dBm
P
out
dBm
CLX32-00
31.0
31.5
-
CLX32-05
32.0
32.3
-
CLX32-10
32.5
32.8
-
Power added efficiency
1), 2)
V
DS
= 8 V, I
D(RF off)
= 400 mA, f = 2.3 GHz,
P
in
= 18.0 dBm
PAE
%
CLX32-00
43
48
-
CLX32-05
46
52
-
CLX32-10
48
54
-
Notes.:
1) RF Power characteristics given for power matching conditions
2) Power added efficiency: PAE = (P
RFout
- P
RFin
) / P
DC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CLX34-00 | HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
| CLX34-05 | HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
| CLX34-10 | HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
| CLX34 | HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
| cly 2 | GaAs MMIC(砷化鎵微波放大器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CLX32-00 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
| CLX32-05 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
| CLX32-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
| CLX34 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
| CLX34-00 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
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