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參數(shù)資料
| 型號： | CJD127 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | CJD127 |
Central
Semiconductor Corp.
TM
DPAK TRANSISTOR CASE - MECHANICAL OUTLINE
CJD122 NPN
CJD127 PNP
COMPLEMENTARY SILICON
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
R1 (26-September 2002)
LEAD CODE:
B) BASE
C) COLLECTOR
E) EMITTER
C) COLLECTOR
MARKING CODE:
FULL PART NUMBER
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CK2C100LR | CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE |
| CK2A470LR | CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE |
| CK2A470LT | CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE |
| CK2A470MC | CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE |
| CK2A470MR | CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CJD127 TR13 | 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
| CJD127PNP | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| CJD13003 | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN SM POWER TRANSISTOR DPAK 15W (TC=25C) 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN SM POWER TRANSISTOR DPAK 15W (TC=25C) - free partial T/R at 500. |
| CJD13003 TR13 | 功能描述:TRANS NPN 700V 1.5A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 500mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.56W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
| CJD136 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:TRIAC |
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