品牌:JURCC | 型號:104J275VAC | 介質(zhì)材料:有機薄膜 | 應(yīng)用范圍:晶體管電路 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±30（%） | 耐壓值:400（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):JURCCX2安規(guī)抗干擾電容器 dainX2安規(guī)電容器X2-MKP62電容器（mΩ） | 損耗:JURCCX2安規(guī)抗干擾電容器 dainX2安規(guī)電容器X2-MKP62電容器 | 額定電壓:JURCCX2安規(guī)抗干擾電容器 dainX2安規(guī)電容器X2-MKP62電容器（V） | 絕緣電阻:JURCCX2安規(guī)抗干擾電容器 dainX2安規(guī)電容器X2-MKP62電容器（mΩ） | 溫度系數(shù):JURCCX2安規(guī)抗干擾電容器 dainX2安規(guī)電容器X2-MKP62電容器 | 標稱容量:JURCCX2安規(guī)抗干擾電容器 dainX2安規(guī)電容器X2-MKP62電容器

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOB420 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO8808 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

加工定制:是 | 品牌:2520無源晶振 | 型號:2025 無源晶振 | 種類:諧振器 | 標稱頻率:2520 無源（MHz） | 調(diào)整頻差:2025 無源（MHz） | 溫度頻差:2520 晶振（MHz） | 總頻差:2025 晶振（MHz） | 負載電容:標準（pF） | 負載諧振電阻:標準（Ω） | 激勵電平:標準（mW） | 基準溫度:標準（℃） | 插入損耗:標準（dB） | 阻帶衰減:標準（dB） | 輸入阻抗:標準阻抗（kΩ） | 輸出阻抗:標準阻抗（kΩ）

加工定制:否 | 品牌:愛普生晶振epson | 型號:愛普生晶振FA20H | 種類:晶振 | 標稱頻率:晶振25（MHz） | 調(diào)整頻差:25（MHz） | 溫度頻差:0.3（MHz） | 總頻差:0.3（MHz） | 負載電容:12.5（pF） | 負載諧振電阻:45（Ω） | 激勵電平:1.0（mW） | 基準溫度:85（℃） | 插入損耗:45（dB） | 阻帶衰減:45（dB） | 輸入阻抗:65（kΩ） | 輸出阻抗:65（kΩ）

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOB420 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7600 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:MURATA/村田 | 型號:16V/2.2UF貼片電容 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:晶體管電路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:可變 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±0.02（%） | 耐壓值:2.5（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):0.5（mΩ） | 損耗:0.0 | 額定電壓:0.5（V） | 絕緣電阻:0.2（mΩ） | 溫度系數(shù):10 | 標稱容量:0.8

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640NS | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:FY | 型號:UM-1，UM-5，49S | 種類:諧振器 | 標稱頻率:12.8（MHz） | 調(diào)整頻差:---------------（MHz） | 溫度頻差:--------------------（MHz） | 總頻差:--------------------（MHz） | 負載電容:-------------------（pF） | 負載諧振電阻:------------------（Ω） | 激勵電平:-----------------（mW） | 基準溫度:------------------（℃） | 插入損耗:---------------------（dB） | 阻帶衰減:------------------------（dB） | 輸入阻抗:---------------------（kΩ） | 輸出阻抗:--------------------（kΩ）