品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOZ1022DI | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4824 | 溝道類型:其他 | 用途:儀器 | 類型:穩(wěn)壓IC | 功率:1 | 批號:05+ | 封裝:SOP8

品牌:AO | 型號:AOD484 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AO/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AO/美國萬代 | 型號:AO3400 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:85000MA | 開啟電壓:25V | 夾斷電壓:30V

品牌:AO/美國萬代 | 型號:AO3415 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3424 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AO | 型號:AO4414 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si) | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:SOP8

品牌:AO/美國萬代 | 型號:AO3701 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AO/美國萬代 | 型號:AO3700 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOD442 AOD442L | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | .:.

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AO3409 AO3413 AO3415 AO3418 AO3419 AO3420 AO3460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:2.6A | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:20

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AON7460 AON6426L AON4703 AON5800 AON5802 AON58 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:` | 低頻噪聲系數(shù):` | 極間電容:`

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOD604 AOD604L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:40 | 夾斷電壓:-40