應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):LM317 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:-- | 批號(hào):自己現(xiàn)貨 | 是否提供加工定制:是 | 封裝:TO-220
≥1000 個(gè)
¥0.15
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP052NE7N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
≥100 PCS
¥0.58
品牌:進(jìn)口品牌 | 型號(hào):5N120BND | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道,N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
¥0.95
品牌:SHINDENGEN/新電元 | 型號(hào):k2196/k1250/2sk1411 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 截止頻率fT:/
≥1000 個(gè)
¥1.50
品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號(hào):FS10UM-14A/FS10UM-12/FS10UM-10 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:150 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:10A-30A | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:/ | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 應(yīng)用范圍:開關(guān)
≥1000 PCS
¥0.20
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):SBP13007A 13009 13003 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 低頻噪聲系數(shù):0.25 | 極間電容:.
≥100 個(gè)
¥0.30
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SD20N60 ,20N60CFD | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 應(yīng)用范圍:開關(guān)
≥1000 PCS
¥1.35
品牌:SHINDENGEN/新電元 | 型號(hào):C30P10Q | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 備注:* | 產(chǎn)品類型:肖特基管 | 是否進(jìn)口:是
≥100 個(gè)
¥1.30
品牌:MOTOROLA/摩托羅拉 | 型號(hào):MTP3055 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 截止頻率fT:/
≥500 個(gè)
¥0.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP3N80/FQP3N80C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:3A | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:/ | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 應(yīng)用范圍:開關(guān)
≥200 PCS
¥0.10
品牌:IR,ST | 型號(hào):30CTQ045,30CTQ060 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 備注:* | 產(chǎn)品類型:肖特基管 | 是否進(jìn)口:是
≥100 個(gè)
¥0.45
品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):C2078,2SC2078 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 擊穿電壓VCBO:n | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:n | 截止頻率fT:n | 應(yīng)用范圍:功率
≥100 PCS
¥4.80
品牌:SAK日本三肯 | 型號(hào):C4542 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):n | 最大漏極電流:n | 開啟電壓:n | 夾斷電壓:n | 低頻噪聲系數(shù):n | 極間電容:n | 最大耗散功率:n
≥100 個(gè)
¥0.50
品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):K2195,2SK2195 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:O/振蕩 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 最大漏極電流:N | 低頻噪聲系數(shù):N | 極間電容:N
≥100 個(gè)
¥1.30
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:SK | 型號(hào):MP1620 MN2488 | 類型:其他IC | 批號(hào):拆機(jī) | 用途:電視機(jī) | 封裝:TO-3P
≥1 PCS
¥1.20
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):30CPQ150 STPS30H150CW | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 類型:音響IC | 集電極最大耗散功率PCM:10 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 批號(hào):拆機(jī) | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 封裝:TO-3P | 擊穿電壓VCEO:10 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1 PCS
¥2.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SC5421 2SC5422 2SC5622 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 類型:電視機(jī)IC | 集電極最大耗散功率PCM:10 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:10 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 批號(hào):拆機(jī) | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 封裝:TO-3PL | 擊穿電壓VCEO:10 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1 PCS
¥2.80
品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK962 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥200 個(gè)
¥0.01
品牌:SEC | 型號(hào):STP6N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導(dǎo):11 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1
≥200 個(gè)
¥0.01