共239件相關(guān)產(chǎn)品
  1. mos模塊

    • ON MC33262BDR2G模塊

      品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MC33262BDR2G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

    • 1000-4999 個(gè)

      ￥2.10

    • 5000-9999 個(gè)

      ￥2.00

    • ≥10000 個(gè)

      ￥1.90

    • 詢 價(jià)

    • 仙童FGL60N100BNTD模塊

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FGL60N100BNTD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • 500-999 個(gè)

      ￥2.80

    • 1000-4999 個(gè)

      ￥2.78

    • ≥5000 個(gè)

      ￥2.75

    • 詢 價(jià)

    • 新高電流功率MOSFET/IXTN58N50

      類型:其他IC | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXTN58N50 | 功率:原廠規(guī)格 | 封裝:模塊 | 批號(hào):11+

    • 1-2 個(gè)

      ￥60.00

    • 3-9 個(gè)

      ￥55.00

    • ≥10 個(gè)

      ￥50.00

    • 詢 價(jià)

    • DSS2X160-01A IXYS IGBT IGBT單管 IGBT模塊

      產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):DSS2X160-01A | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:1 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 溝道類型:P溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • ≥10 個(gè)

      ￥1.00

    • 詢 價(jià)

    • 新IXYS功率MOSFET/IXFN80N50

      類型:其他IC | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXFN80N50 | 功率:原廠規(guī)格 | 封裝:模塊 | 批號(hào):N/A | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 種類:結(jié)型(JFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

    • 1-4 平方米

      ￥63.00

    • 5-9 平方米

      ￥62.00

    • ≥10 平方米

      ￥60.00

    • 詢 價(jià)

    • 全系列IXYS功率MOSFET/IXFN60N60

      類型:其他IC | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXFN60N60 | 功率:原廠規(guī)格 | 封裝:模塊 | 批號(hào):N/A | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 種類:結(jié)型(JFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

    • ≥1 平方米

      ￥10.00

    • 詢 價(jià)

    • 功率模塊 igbt ls產(chǎn)電模塊 LUH75G1201

      品牌:LS產(chǎn)電 | 型號(hào):LUH75G1201 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝:SUSPM1

    • ≥1 個(gè)

      ￥160.00

    • 詢 價(jià)

    • FF150R12KS4 英飛凌IGBT模塊

      品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):FF150R12KS4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UHF/超高頻 | 材料:P-FET硅P溝道

    • ≥1 個(gè)

      ￥365.00

    • 詢 價(jià)

    • BSM150GB120DN2

      類型:電源模塊 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):BSM150GB120DN2 | 用途:MOS-HBM/半橋組件，MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:盒裝 | 封裝外形:平底形 | 關(guān)斷速度:高頻(快速) | 極數(shù):二極

    • ≥1 個(gè)

      ￥1.00

    • 詢 價(jià)

    • QM600HD-M 三菱 IGBT IGBT單管 IGBT模塊

      品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號(hào):QM600HD-M | 控制方式:其他 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • ≥10 個(gè)

      ￥1.00

    • 詢 價(jià)

    • FF200R12KS4 EUPEC IGBT IGBT單管 IGBT模塊

      品牌:EUPEC | 型號(hào):FF200R12KS4 | 控制方式:其他 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • ≥10 個(gè)

      ￥1.00

    • 詢 價(jià)