品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):場(chǎng)效應(yīng)管IRF2807 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:? | 低頻噪聲系數(shù):? | 極間電容:?
≥1000 個(gè)
¥0.65
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF3205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥1.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):3205 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥1 個(gè)
¥0.60
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF3205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
500-999 個(gè)
¥0.64
1000-1999 個(gè)
¥0.54
≥2000 個(gè)
¥0.44
≥1000 個(gè)
¥0.01
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):拆機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管IRF3205.IRF3710.IRF2807.. | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:? | 集電極最大允許電流ICM:100V,57A,70V,78A,, | 截止頻率fT:?
≥2000 個(gè)
¥1.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF3205NS,3205NS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):55 | 開(kāi)啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5
≥50 個(gè)
¥0.10
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF3205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥1.05
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF3205 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.90
≥100 PCS
¥0.10
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF3205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC
≥1 個(gè)
¥1.50
100-1000 個(gè)
¥1.25
1001-5000 個(gè)
¥1.22
≥5001 個(gè)
¥1.20
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF3205 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
500-1999 個(gè)
¥1.08
2000-4999 個(gè)
¥1.05
≥5000 個(gè)
¥1.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):F540NS | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SMD
≥100 PCS
¥0.70
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF3205 IRF3710 IRF2807 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)
200-999 個(gè)
¥0.90
≥1000 個(gè)
¥0.80
≥100 個(gè)
¥1.20
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF3710、IRF3205場(chǎng)效應(yīng)管 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個(gè)
¥1.20
≥5000 個(gè)
¥1.10
最大漏極電流:? | 功率:? | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 型號(hào):拆機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管IRF1010.IRF2807,IRF3710.IRF3205.IRFZ46N.IRFZ44NIRF1010 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):?
≥2000 個(gè)
¥0.55