品牌:IR/ST/SEC | 型號:K900 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件
≥10 千克
¥0.40
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:DD800S17K3_B2 DD800S17K6C_B2 | 控制方式:雙向 | 極數(shù):三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平底形 | 關(guān)斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:900(A) | 控制極觸發(fā)電流:1(mA) | 最大穩(wěn)定工作電流:800(A) | 反向重復(fù)峰值電壓:1700(V)
≥1 PCS
¥10.00
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPD90R1K2C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HI-IMP/高輸入阻抗 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝:TO-252
≥10 個(gè)
¥1.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2845 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插
≥1000 PCS
¥0.70
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2611 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:9 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:900 | 應(yīng)用范圍:放大
≥100 PCS
¥4.78
產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:CENTRAL | 型號:CZT900K | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 應(yīng)用范圍:開關(guān)
≥50 PCS
¥2.00