詳細(xì)信息
數(shù)據(jù)列表 | BSM15GD120DN2-1310 |
產(chǎn)品相片 | BSM15GD120DN2-1310 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | EUPEC歐派克 |
產(chǎn)品變化通告 | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 | VGE = 15V,TVJ |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
類別 | 半導(dǎo)體模塊 |
屬性 | FET - 單 |
系列 | 模塊 |
FET 型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
導(dǎo)通延遲時間 | VCC= 600 V,VGE=15V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 500V |
輸入電容 | f = 1MHz |
反向電流 | 150°C,VR = 1600伏特IR-1毫安 |
下降時間(感性負(fù)載) | 25°C時的RG |
開關(guān)特性,感性負(fù)載 | TJ= 125℃ |
輸入電容 (Ciss) @ Vds | 5335pF @ 25V |
功率 - 最大 | 750W |
安裝類型 | 貼裝 |